光刻胶烘箱的核心技术要求

1. 温度控制

• 温度范围：室温~250℃（根据光刻胶类型调整，如I线胶通常90~120℃，EUV胶需200℃以上）。

• 均匀性：±0.5℃以内（晶圆级烘箱需±0.1℃），避免胶膜厚度不均或显影缺陷。

• 升温速率：1~5℃/秒（快速热退火RTP型烘箱可达10℃/秒）。

2. 洁净度

• Class 10~100级（ISO 4~5级），需配置HEPA/ULPA过滤器（过滤效率≥99.995%）。

• 无尘设计：内腔为不锈钢或陶瓷涂层，避免颗粒污染胶面。

3. 气氛控制

• 惰性气体保护（N₂、Ar）防止光刻胶氧化（氧含量≤10 ppm）。

• 局部排风：排出挥发性有机物（VOCs），避免冷凝回流。

4. 工艺适配性

• 真空烘箱：用于厚胶（SU-8）或避免气泡的工艺，真空度可达10⁻³ mbar。

• 红外加热：减少热滞后，适合大尺寸基板（如面板显示制程）。