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半导体烘箱操作流程解析:从预处理到出炉的关键细节

更新时间:2026-01-28      点击次数:5
半导体烘箱操作流程解析:从预处理到出炉的关键细节
半导体烘箱是半导体制造(如晶圆预处理、光刻胶固化、芯片封装前烘烤)的核心设备,其使用过程需严格遵循无氧化、控温精准、流程规范的原则,具体步骤如下:  
1.前期准备:安全检查与环境确认​  
设备检查:使用前需确认烘箱状态:①电气系统正常(电源电压匹配机台标注,无漏电);②加热元件(如电阻丝、电热管)无损坏、无松动;③通风口(进气孔、排气孔)无堵塞,风板孔畅通(避免影响热风循环);④氮气接口、真空泵(若有)连接牢固。  
环境准备:①工作区域整洁,无易燃易爆物品(如酒精、粘结剂);②烘箱附近通风良好,冷却排风口需接至排气系统(接管加保温层,防止烫伤);③操作人员穿戴防护器具(如隔热手套、护目镜)。  
2.预处理:清洁与密封​  
内部清洁:用无尘布蘸清洁剂擦拭烘箱内部(包括内胆、棚板),去除残留物(如灰尘、光刻胶残渣),确保无杂质影响产品质量。  
密封测试:关闭箱门,确认门扣紧扣,门面安全开关生效(机台才能启动);检查箱体密封件(如硅胶迫紧)无老化、破损,防止漏气。  
3.装载:无尘与均匀摆放​  
物品放置:将待烘烤的半导体器件(如晶圆、芯片)整齐摆放在烘箱内棚板上,避免过挤(确保热风均匀循环);器件需轻拿轻放,防止碰撞损坏。  
密封送进:将装载好的器件通过传送带或人工方式送入烘箱,确认密封门闭合,避免外界空气进入。  
4.抽真空(若为真空无氧烘箱)​  
启动真空泵:打开真空泵,开始抽烘箱内空气,直至达到工艺要求的真空度(如≤10Pa,具体数值依产品而定)。  
检测真空度:用真空计实时监测,确保真空度稳定;若真空度下降,需检查密封件或真空泵状态。  
 

 

5.半导体烘箱充氮置换:建立无氧环境​  
氮气接入:将高纯氮气(≥99.999%)接入烘箱氮气口,调节压力至合适流量(如10-20L/min,依机台型号而定)。  
置换确认:通过氧浓度检测仪确认箱内氧浓度降至工艺要求(如≤20ppm),确保无氧环境。  
6.加热与保温:精准控温​  
设定参数:根据工艺要求(如光刻胶固化、晶圆预处理),在操作面板设定目标温度(如150-300℃)、加热速率(如2-3℃/min)、保温时间(如1-2小时)。  
温度监测:用内置温度计或外部标准温度计实时监测箱内温度,确保温度波动在允许范围(如±1℃);若温度过冲或偏低,需启动自动演算功能调整。  
恒温保持:加热至目标温度后,保持恒温状态,期间避免打开箱门(防止温度骤降或氧气进入)。  
7.冷却:缓慢降温​  
停止加热:保温时间结束后,关闭加热开关,停止加热。  
自然冷却:让烘箱自然冷却至安全温度(如≤60℃),避免快速降温导致器件热应力损坏。  
强制冷却(可选):若需缩短周期,可启动冷却风扇或水冷装置(如空冷加水冷),但需确保冷却速率符合工艺要求(如≤5℃/min)。  
8.出炉与后续处理​  
取出器件:待烘箱冷却至安全温度后,打开箱门,用隔热手套取出器件;检查器件外观(如无氧化、变形)和性能(如光刻胶固化程度),确认符合要求。  
清洁与维护:①清理烘箱内部残留物(如器件碎屑、灰尘);②检查加热元件、通风口是否有积尘,及时清理;③关闭电源,拔掉插头(长期停用时罩上防尘套)。
 
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